![一种利用固态掺杂源制备掺硼金刚石的方法](/CN/2019/1/185/images/201910925306.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 一种利用固态掺杂源制备掺硼金刚石的方法
- 专利标题(英):Method for preparing boron-doped diamond by using solid doping source
- 申请号:CN201910925306.0 申请日:2019-09-27
- 公开(公告)号:CN110527973A 公开(公告)日:2019-12-03
- 发明人: 朱嘉琦 , 姚凯丽 , 代兵 , 谭小俊 , 杨磊 , 赵继文 , 舒国阳 , 韩杰才
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- 代理人: 岳泉清
- 主分类号: C23C16/27
- IPC分类号: C23C16/27 ; C23C16/50
摘要:
一种利用固态掺杂源制备掺硼金刚石的方法,它涉及一种制备掺硼金刚石的方法。本发明要解决现有掺硼金刚石薄膜的制备方法中气体硼源不安全,对设备有腐蚀性的问题。制备方法:一、掺杂源的制备;二、掺硼金刚石薄膜的制备。本发明用于利用固态掺杂源制备掺硼金刚石。
摘要(英):
The invention discloses a method for preparing a boron-doped diamond by using a solid doping source, and relates to a method for preparing the boron-doped diamond. The invention aims to solve the problems of unsafe gas boron source and the corrosivity to the equipment in an existing preparation method of a boron-doped diamond film. The preparation method comprises the following steps of 1, preparing the doping source; and 2, preparing the boron-doped diamond film. The method is used for preparing the boron-doped diamond by utilizing the solid doping source.
公开/授权文献:
- CN110527973B 一种利用固态掺杂源制备掺硼金刚石的方法 公开/授权日:2021-05-25