基本信息:
- 专利标题： 一种制备可抑制杀菌活性的Ta2O5@Ag双相微纳结构的方法
- 申请号：CN201910814279.X 申请日：2019-08-30
- 公开(公告)号：CN110499493B 公开(公告)日：2021-08-31
- 发明人： 陈东圳 , 付涛 , 张萌 , 张宇 , 贺辛亥 , 宋忠孝
- 申请人： 西安工程大学
- 申请人地址： 陕西省西安市碑林区金花南路19号
- 专利权人： 西安工程大学
- 当前专利权人： 陕西精诚汇博新材料科技有限公司
- 当前专利权人地址： 712000 陕西省咸阳市高新技术产业开发区高科三路科技企业孵化园3栋415
- 代理机构： 西安弘理专利事务所
- 代理人： 王蕊转
- 主分类号： C23C14/35
- IPC分类号： C23C14/35 ; C23C14/06
摘要：
本发明公开了一种制备可抑制杀菌活性的Ta2O5@Ag双相微纳结构的方法，具体包括以下步骤：步骤1：清洗硅片，将清洁后的硅片衬底浸入乙醇、丙酮溶液中浸泡5～20分钟，取出浸入后的硅片放入去离子水中浸泡5～15分钟，然后取出并烘干浸泡后的硅片；步骤2：制备Ta2O5@Ag双相微纳结构，调整磁控溅射沉积设备的温度为50℃～200℃，电压为360V～400V，控制Ag靶和Ta2O5靶的电流为1A～5A，将烘干的硅片放入磁控溅射沉积设备中，将磁控溅射沉积设备保持真空并通入氩气或氮气，将Ta2O5相按照质量百分数为11％～88％与Ag进行两相共溅射，即可制备出Ta2O5@Ag双相微纳结构。本发明通过抑制Ag的杀菌活性，从而保证了Ta2O5@Ag微纳结构表面的生物活性。
公开/授权文献:
- CN110499493A 一种制备可抑制杀菌活性的Ta2O5@Ag双相微纳结构的方法 公开/授权日：2019-11-26