基本信息:
- 专利标题： 一种源漏抬升FDSOI器件的栅围寄生互连电容提取方法
- 申请号：CN201910675037.7 申请日：2019-07-25
- 公开(公告)号：CN110416104B 公开(公告)日：2021-03-26
- 发明人： 刘人华 , 王昌锋 , 田明 , 李相龙 , 孙亚宾 , 李小进 , 石艳玲 , 廖端泉 , 曹永峰
- 申请人： 华东师范大学 , 上海华力微电子有限公司
- 申请人地址： 上海市闵行区东川路500号;
- 专利权人： 华东师范大学,上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人： 华东师范大学,上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市闵行区东川路500号;
- 代理机构： 上海蓝迪专利商标事务所
- 代理人： 徐筱梅; 张翔
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66 ; H01L23/544
摘要：
本发明公开了一种源漏抬升FDSOI器件的栅围寄生互连电容提取方法，该方法可利用源漏接触孔位于浅沟槽隔离区域（简称为CT‑on‑STI）去嵌结构，去除有源区电容Cf和栅与源漏抬升区域寄生电容Cp‑RSD对栅围寄生互连电容栅与源漏接触孔的寄生电容Cco和栅与源漏接触孔上方第一层金属的寄生电容Cpm提取的影响，并在三维有限元仿真工具的辅助下通过源漏接触孔位于抬升源漏区域（简称为CT‑on‑RSD）结构准确地得到源漏抬升的FDSOI器件的栅围寄生互连电容Cco和Cpm的值，从而在版图寄生提取工具中准确地建立了栅围寄生互连电容的模型，避免了在栅围寄生电容提取的过程中发生互连电容Cco和Cpm电容重复提取的现象。
公开/授权文献:
- CN110416104A 一种源漏抬升FDSOI器件的栅围寄生互连电容提取方法 公开/授权日：2019-11-05
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/66 | .在制造或处理过程中的测试或测量 |