![多场有限元仿真的密封电磁继电器温度场分析方法](/CN/2019/1/137/images/201910687209.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 多场有限元仿真的密封电磁继电器温度场分析方法
- 申请号:CN201910687209.2 申请日:2019-07-29
- 公开(公告)号:CN110390172B 公开(公告)日:2023-02-10
- 发明人: 丁锋 , 田敏 , 樊亚军 , 高云云 , 王楠
- 申请人: 西安工业大学
- 申请人地址: 陕西省西安市未央区学府中路2号
- 专利权人: 西安工业大学
- 当前专利权人: 西安工业大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市未央区学府中路2号
- 代理机构: 西安新思维专利商标事务所有限公司
- 代理人: 黄秦芳
- 主分类号: G06F30/23
- IPC分类号: G06F30/23 ; G06F119/08
摘要:
本发明涉及多场有限元仿真的密封电磁继电器温度场分析方法,包括如下步骤:基于理想等效法,使用UG建模软件构建密封电磁继电器整机实体模型;将该模型导入ANSYS有限元分析软件的热电耦合仿真模块中,通过设置各组件材料的物理参数、仿真计算时的单元类型以及网格的划分方法建立出密封电磁继电器的理想等效仿真模型;分别对密封电磁继电器的主要热源组件控制线圈和接触系统进行产热分析计算,基于传热学原理对密封电磁继电器进行散热分析,完成热电耦合仿真计算时载荷与边界条件的施加。基于已设置好载荷与边界条件的理想等效仿真模型,计算得到环境温度与电流强度对继电器长期工作制下的稳态温度场和短时工作制下的瞬态温度场的影响情况。
公开/授权文献:
- CN110390172A 多场有限元仿真的密封电磁继电器温度场分析方法 公开/授权日:2019-10-29
IPC结构图谱:
G06F30/23 | 使用有限元方法(FEM)或有限差方法(FDM) |