基本信息:
- 专利标题： 用于制造光电子半导体器件的方法
- 申请号：CN201880015607.3 申请日：2018-03-01
- 公开(公告)号：CN110383504B 公开(公告)日：2023-09-05
- 发明人： 马库斯·平德尔 , 西蒙·耶雷比奇
- 申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
- 申请人地址： 德国雷根斯堡
- 专利权人： 欧司朗光电半导体有限公司
- 当前专利权人： 欧司朗光电半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 德国雷根斯堡
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人： 丁永凡; 张春水
- 国际申请： PCT/EP2018/055068 2018.03.01
- 国际公布： WO2018/158379 DE 2018.09.07
- 进入国家日期： 2019-09-03
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01L33/44 ; H01L33/54 ; H01L33/32 ; H01L33/48 ; H01L33/50
摘要：
在一个实施方式中，用于制造光电子半导体器件(1)的方法具有如下步骤：A)将发射辐射的半导体芯片(3)施加到中间载体(2)上，其中半导体芯片(3)是体积发射器，B)将辐射可透过的透明灌封件(4)直接施加到芯片侧面(34)上，使得透明灌封件(4)的厚度在背离芯片侧面(34)的方向上单调地或严格单调地减小，C)和芯片侧面(34)相对地产生反射元件(5)，使得反射元件(5)和透明灌封件(4)在透明灌封件(4)的与芯片侧面(34)相对置的外侧(44)上接触，以及D)将半导体芯片(3)从中间载体(2)剥离并且将半导体芯片(3)分别施加到器件载体(6)上，使得半导体芯片(3)的相应的光出射主侧(30)分别背离器件载体(6)，其中步骤C)在步骤D)之后执行。
公开/授权文献:
- CN110383504A 用于制造光电子半导体器件的方法 公开/授权日：2019-10-25