基本信息:
- 专利标题： 用于异物除去的涂膜形成用组合物
- 专利标题（英）：COMPOSITION FOR FORMING COATING FILM FOR FOREIGN MATTER REMOVAL USE
- 申请号：CN201880014924.3 申请日：2018-02-28
- 公开(公告)号：CN110366768A 公开(公告)日：2019-10-22
- 发明人： 岸冈高广 , 田村护 , 臼井友辉 , 绪方裕斗
- 申请人： 日产化学株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 日产化学株式会社
- 当前专利权人： 日产化学株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理人： 曾祯; 段承恩
- 优先权： 2017-040803 2017.03.03 JP
- 国际申请： PCT/JP2018/007471 2018.02.28
- 国际公布： WO2018/159665 JA 2018.09.07
- 进入国家日期： 2019-08-30
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; C09D179/08 ; C09D201/00
The purpose of the present invention is to provide: a simplified method for removing foreign matters formed on a substrate in a semiconductor device manufacturing process; and a composition for forming a coating film for foreign matter removal use, which can be used in the method. A coating film is formed on a semiconductor substrate using a composition preferably containing a polyamic acid produced from (a) a tetracarboxylic dianhydride compound and (b) a diamine compound having at least one carboxyl group or a polyamic acid produced from (a) a tetracarboxylic dianhydride compound, (b) a diamine compound having at least one carboxyl group and (c) a diamine compound, and then foreign matters occurring on the coating film are removed together with the coating film by the treatment with a developing solution.
公开/授权文献:
- CN110366768B 用于异物除去的涂膜形成用组合物 公开/授权日：2023-09-26
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |