基本信息:
- 专利标题： 一种多参数高选择性CMUTs气体传感器及其使用与制备方法
- 申请号：CN201910696445.0 申请日：2019-07-30
- 公开(公告)号：CN110361445B 公开(公告)日：2020-10-27
- 发明人： 李支康 , 赵立波 , 赵一鹤 , 李杰 , 徐廷中 , 郭帅帅 , 刘子晨 , 罗国希 , 李磊 , 王书蓓 , 蒋庄德
- 申请人： 西安交通大学 , 西安交通大学苏州研究院
- 申请人地址： 陕西省西安市咸宁西路28号
- 专利权人： 西安交通大学,西安交通大学苏州研究院
- 当前专利权人： 西安交通大学,西安交通大学苏州研究院
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市咸宁西路28号
- 代理机构： 西安通大专利代理有限责任公司
- 代理人： 李鹏威
- 主分类号： G01N29/02
- IPC分类号： G01N29/02 ; G01N29/036 ; G01N27/12 ; G01B11/00
摘要：
本发明公开了一种多参数高选择性CMUTs气体传感器及其使用与制备方法，本发明采用SnO2、ZnO、Fe2O3、WO3等半导体金属氧化物，将其同时用作CMUTs上电极以及敏感识别材料，利用其吸附气体后同时引起薄膜质量及上电极电阻变化的特性，实现物理、化学性质相近或相似气体分子的高选择性敏感。薄膜质量的变化会引起CMUT谐振频率的变化；上电极电阻的变化会引起CMUT上下电极间交流电压幅值的变化，进而引起CMUT薄膜振动幅值的变化，通过谐振频率和薄膜振动位移幅值这两种输出参数的变化可实现气体分子的高选择性检测。此外，由于半导体氧化物敏感材料在温度调节下具有可重复使用性，因此本发明CMUT气体传感器除了具有高选择性外，还具有很好的重复性。
公开/授权文献:
- CN110361445A 一种多参数高选择性CMUTs气体传感器及其使用与制备方法 公开/授权日：2019-10-22
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01N | 借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料 |
| ------G01N29/00 | 利用超声波、声波或次声波来测试或分析材料；靠发射超声波或声波通过物体得到物体内部的显像 |
| --------G01N29/02 | .流体分析 |