基本信息:
- 专利标题： 半导体制造装置用加热器
- 专利标题（英）：HEATER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE
- 申请号：CN201880002671.8 申请日：2018-07-02
- 公开(公告)号：CN110352182A 公开(公告)日：2019-10-18
- 发明人： 山名启太 , 曻和宏 , 鸟居谦悟
- 申请人： 日本碍子株式会社
- 申请人地址： 日本爱知县
- 专利权人： 日本碍子株式会社
- 当前专利权人： 日本碍子株式会社
- 当前专利权人地址： 日本爱知县
- 代理机构： 北京银龙知识产权代理有限公司
- 代理人： 钟晶; 金鲜英
- 优先权： 2018-020637 2018.02.08 JP
- 国际申请： PCT/JP2018/025003 2018.07.02
- 国际公布： WO2019/155652 JA 2019.08.15
- 进入国家日期： 2018-12-28
- 主分类号： C04B35/582
- IPC分类号： C04B35/582 ; H05B3/10 ; H05B3/74
摘要：
本发明的半导体制造装置用加热器是在AlN陶瓷基体的内部埋设有发热体的半导体制造装置用加热器，AlN陶瓷基体含有O、C、Ti、Ca、Y作为杂质元素，且Ti/Ca的质量比为0.13以上，在XRD图谱中没有确认到TiN相。
摘要（英）：
A heater for a semiconductor manufacturing device having a heating element embedded in an AlN ceramic substrate, wherein the AlN ceramic substrate includes O, C, Ti, Ca, and Y as impurity elements, the mass ratio of Ti/Ca is 0.13 or more, and no TiN phase is found in an XRD profile.
公开/授权文献:
- CN110352182B 半导体制造装置用加热器 公开/授权日：2022-02-08