基本信息:
- 专利标题： 腔室盖、工艺腔室和半导体处理设备
- 申请号：CN201810305925.5 申请日：2018-04-08
- 公开(公告)号：CN110349910B 公开(公告)日：2020-12-08
- 发明人： 白志民 , 李强 , 耿宏伟 , 彭文芳 , 魏延宝 , 丁培军 , 王伟
- 申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
- 申请人地址： 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
- 专利权人： 北京北方华创微电子装备有限公司
- 当前专利权人： 北京北方华创微电子装备有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
- 代理机构： 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理人： 彭瑞欣; 姜春咸
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768
摘要：
本发明公开了一种腔室盖、工艺腔室和半导体处理设备。腔室盖用于透光，包括盖本体和吸收层，盖本体具有受光表面，吸收层设置在受光表面的预定区域，用于吸收照射至所述预定区域的部分光，以使预定区域的透光率满足预定值。通过在受光表面上的预定区域所设置的吸收层，改变腔室盖在预定区域的透光率，可以使得晶圆各位置处的介电常数和硬度基本相同，提高片内均匀性，改善晶圆的性能。同时，本发明的腔室盖，结构简单，并不需要为了提高片内均匀性所引入复杂的光路设计的结构，因此，可以有效降低制作成本，提高经济效益。
公开/授权文献:
- CN110349910A 腔室盖、工艺腔室和半导体处理设备 公开/授权日：2019-10-18
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |