基本信息:
- 专利标题： 功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构
- 申请号：CN201910467688.7 申请日：2019-05-30
- 公开(公告)号：CN110265309A 公开(公告)日：2019-09-20
- 发明人： 武伟 , 韩荣刚 , 张喆 , 张朋 , 李现兵 , 吴军民 , 潘艳
- 申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
- 申请人地址： 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
- 专利权人： 全球能源互联网研究院有限公司
- 当前专利权人： 全球能源互联网研究院有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
- 代理机构： 北京三聚阳光知识产权代理有限公司
- 代理人： 李钦晓
- 主分类号： H01L21/56
- IPC分类号： H01L21/56 ; H01L23/60 ; H01L23/31
摘要：
本发明公开了一种功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构，该功率芯片预封装方法用于晶圆，晶圆上阵列排布有多个功率芯片，功率芯片的第一电极位于晶圆的第一表面，该预封装方法包括：将多个引出电极分别连接在功率芯片的第一电极上；利用封装材料填充各个引出电极之间的空间，形成包围引出电极的第一封装层；去除晶圆中各功率芯片之间预留划片槽区域，形成划片槽；利用封装材料填充划片槽，形成第二封装层；对晶圆进行切割，形成预封装功率芯片。通过实施本发明，避免了高压功率芯片终端受到污染的可能。通过形成第一封装层，为功率芯片的划片槽去除提供了支撑，改善了功率芯片终端由于切割造成的损伤，提高了功率芯片的可靠性。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/56 | ....封装，例如密封层、涂层 |