基本信息:
- 专利标题： 半导体元件及其制作方法
- 申请号：CN201810188894.X 申请日：2018-03-08
- 公开(公告)号：CN110246803A 公开(公告)日：2019-09-17
- 发明人： 林猷颖 , 叶怡良 , 蔡松蒝 , 游峻伟 , 王俞仁 , 吴振 , 林泰言
- 申请人： 联华电子股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市
- 专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 陈小雯
- 主分类号： H01L21/8234
- IPC分类号： H01L21/8234 ; H01L27/088 ; H01L21/336 ; H01L29/78
摘要：
本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法，其主要先形成一第一栅极结构于基底上，然后进行第一蚀刻制作工艺以于第一栅极结构旁形成一凹槽，进行一离子注入制作工艺以形成一非晶层于凹槽正下方，进行第二蚀刻制作工艺去除该非晶层，再形成一外延层于凹槽内。
摘要（英）：
A method for fabricating semiconductor device includes the steps of: forming a first gate structure on a substrate; performing a first etching process to form a recess adjacent to the first gate structure; performing an ion implantation process to form an amorphous layer directly under the recess; performing a second etching process to remove the amorphous layer; and forming an epitaxial layer in the recess.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
| --------------------H01L21/8234 | .......MIS工艺 |