基本信息:
- 专利标题： 一种衍射光学元件的制造方法
- 申请号：CN201780055299.2 申请日：2017-09-09
- 公开(公告)号：CN110235050B 公开(公告)日：2021-06-04
- 发明人： 石井房雄 , 中西美纪子 , 高桥和彦 , 油川雄司 , 村上圭一
- 申请人： 株式会社NTT都科摩 , 石井房雄
- 申请人地址： 日本东京都千代田区永田町2丁目11-1,100-6150;
- 专利权人： 株式会社NTT都科摩,石井房雄
- 当前专利权人： 株式会社NTT都科摩,石井房雄
- 当前专利权人地址： 日本东京都千代田区永田町2丁目11-1,100-6150;
- 代理机构： 北京市炜衡律师事务所
- 代理人： 许育辉
- 优先权： 62/495,286 20160909 US
- 国际申请： PCT/US2017/050852 2017.09.09
- 国际公布： WO2018/063780 EN 2018.04.05
- 进入国家日期： 2019-03-08
- 主分类号： G02B27/42
- IPC分类号： G02B27/42 ; G02B27/00 ; G02B5/00 ; B05D3/10 ; G02B5/18 ; B29C33/38 ; B29L11/00
摘要：
公开了生产DOE、HOE和菲涅耳光学元件的制造方法。这些方法能够实现具有高精度的低成本制造。该方法包括光刻、卷对卷压印和UV铸造。
公开/授权文献:
- CN110235050A 一种衍射光学元件的制造方法 公开/授权日：2019-09-13
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G02 | 光学 |
| ----G02B | 光学元件、系统或仪器 |
| ------G02B27/00 | 其他光学系统；其他光学仪器 |
| --------G02B27/42 | .衍射光学 |