基本信息:
- 专利标题： 一种碳化硅MOS器件及其制备方法
- 申请号：CN201910437440.6 申请日：2019-05-24
- 公开(公告)号：CN110212031A 公开(公告)日：2019-09-06
- 发明人： 吴燕庆 , 王欣 , 李学飞
- 申请人： 华中科技大学
- 申请人地址： 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人： 华中科技大学
- 当前专利权人： 华中科技大学
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 代理机构： 华中科技大学专利中心
- 代理人： 曹葆青; 李智
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336
摘要：
本发明公开了一种碳化硅MOS器件及其制备方法，包括：对碳化硅外延片的上表面进行第一次氧化处理，得到第一氧化层，并在所述第一氧化层的上表面沉积高介电常数介质层；对由碳化硅外延片和高介电常数介质层构成的层叠结构进行退火处理；在退火处理之后的高介电常数介质层的上表面制备栅电极，得到碳化硅MOS器件。本发明引入高介电常数材料作为介质层，高介电常数材料通过沉积的方式层叠在碳化硅外延片上，得到的介质层的厚度比较均匀，同时避免了氧化碳化硅时碳残余导致的碳化硅和介质层界面处的界面态较大的问题。另外，通过在高介电常数介质层和碳化硅外延片之间增加一层氧化硅，进一步有效提高了碳化硅和介质层之间的界面质量。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |