基本信息:
- 专利标题： 相变化记忆体及其制造方法
- 申请号：CN201910435046.9 申请日：2019-05-23
- 公开(公告)号：CN110164903B 公开(公告)日：2023-05-26
- 发明人： 郑胜鸿 , 张明丰 , 杨子澔
- 申请人： 北京时代全芯存储技术股份有限公司
- 申请人地址： 北京市海淀区丰豪东路9号院2号楼8层4单元802
- 专利权人： 北京时代全芯存储技术股份有限公司
- 当前专利权人： 北京时代全芯存储技术股份有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区丰豪东路9号院2号楼8层4单元802
- 主分类号： H10N79/00
- IPC分类号： H10N79/00 ; H10N70/20
摘要：
一种相变化记忆体及其制造方法。相变化记忆体包括下电极、环形加热器、弧形相变化层、以及上电极。环形加热器设置于下电极上。弧形相变化层设置于环形加热器上，且弧形相变化层与环形加热器在下电极的法线方向上错位。上电极设置于弧形相变化层上。本发明的相变化记忆体制造制程简单，且弧形相变化层与环形加热器之间仅具有一个接触区，可以有效地提高加热效率。
公开/授权文献:
- CN110164903A 相变化记忆体及其制造方法 公开/授权日：2019-08-23
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10N | 其它不包括的电固态器件 |
| ------H10N79/00 | 包括至少一个由组H10N70/00包含的固态元件组成的集成器件或多个器件的组装件 |