基本信息:
- 专利标题： 一种SiC单晶纳米尺度的抛光方法
- 申请号：CN201910308863.8 申请日：2019-04-17
- 公开(公告)号：CN110106544B 公开(公告)日：2021-02-12
- 发明人： 李淑娟 , 尹新城 , 李志鹏 , 赵智渊 , 贾祯 , 蒋百铃
- 申请人： 西安理工大学
- 申请人地址： 陕西省西安市碑林区金花南路5号
- 专利权人： 西安理工大学
- 当前专利权人： 西安理工大学
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市碑林区金花南路5号
- 代理机构： 西安弘理专利事务所
- 代理人： 涂秀清
- 主分类号： C25F3/30
- IPC分类号： C25F3/30
摘要：
本发明公开的一种SiC单晶纳米尺度的抛光方法，首先将SiC单晶放在浓H2SO4和H2O2的混合溶液中里浸泡；其次，测量SiC单晶待抛光面的表面粗糙度，确定出疏化层的厚度；然后，在水基电解液中，以SiC单晶为阳极，不锈钢为阴极，根据疏化层的厚度，控制电压调制O2‑的离化率，通过O2‑活化电解改性SiC表面，在SiC表面生成疏化层；最后使用软磨料CeO2去除表面生成的疏化层后，重复电解抛光工序清洗干燥即可。本发明公开的方法通过用等离子体电化学在材料表面生成疏化膜，降低表面硬度后采用软性磨粒去除，避免材料产生脆性断裂等机械损伤表面无化学残留，提高表面抛光质量的同时兼顾抛光效率。
公开/授权文献:
- CN110106544A 一种SiC单晶纳米尺度的等离子体电化学抛光方法 公开/授权日：2019-08-09