基本信息:
- 专利标题： 氧化物或氧氮化物绝缘体膜及其形成用涂布液，场效应晶体管及其制造方法
- 申请号：CN201780073946.2 申请日：2017-11-28
- 公开(公告)号：CN110024089B 公开(公告)日：2023-06-27
- 发明人： 植田尚之 , 中村有希 , 安部由希子 , 松本真二 , 曾根雄司 , 早乙女辽一 , 新江定宪 , 草柳岭秀 , 安藤友一
- 申请人： 株式会社理光
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社理光
- 当前专利权人： 株式会社理光
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 肖靖泉
- 优先权： 2016-233523 20161130 JP
- 国际申请： PCT/JP2017/042686 2017.11.28
- 国际公布： WO2018/101278 JA 2018.06.07
- 进入国家日期： 2019-05-29
- 主分类号： H01L21/318
- IPC分类号： H01L21/318 ; H01L21/336 ; H01L29/786
摘要：
一种氧化物或氧氮化物绝缘体膜形成用涂布液，所述涂布液包括：第A元素；选自第B元素和第C元素的至少一种；和溶剂，其中所述第A元素为选自Sc、Y、Ln(镧系元素)、Sb、Bi和Te的至少一种，所述第B元素为选自Ga、Ti、Zr和Hf的至少一种，所述第C元素为选自周期表中第2族元素的至少一种，并且所述溶剂包括选自闪点为21℃以上但小于200℃的有机溶剂和水的至少一种。
公开/授权文献:
- CN110024089A 氧化物或氧氮化物绝缘体膜形成用涂布液，氧化物或氧氮化物绝缘体膜，场效应晶体管及这些的制造方法 公开/授权日：2019-07-16
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/314 | ......无机层 |
| --------------------H01L21/318 | .......由氮化物组成的无机层 |