基本信息:
- 专利标题： 半导体元件及其制作方法
- 专利标题（英）：Semiconductor component and manufacturing method thereof
- 申请号：CN201810010463.4 申请日：2018-01-05
- 公开(公告)号：CN110010684A 公开(公告)日：2019-07-12
- 发明人： 陈俊仁 , 吴典逸 , 林钰书
- 申请人： 联华电子股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市
- 专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 陈小雯
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336 ; H01L21/324
摘要：
本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该制作半导体元件的方法包括，首先提供一基底，该基底具有一第一区域以及一第二区域，然后形成一第一鳍状结构于第一区域上以及一第二鳍状结构于第二区域上，形成一浅沟隔离环绕第一鳍状结构以及第二鳍状结构，形成一掩模层于第一鳍状结构上，再进行一第一退火制作工艺使第一鳍状结构的曲率半径不同于第二鳍状结构的曲率半径。
摘要（英）：
The invention discloses a semiconductor component and a manufacturing method thereof. The manufacturing method includes the steps of providing a substrate with a first region and a second region, forming a first fin structure on the first region and a second fin structure in the second region, forming a shallow trench isolation to surround the first fin structure and the second fin structure, forming a mask layer on the first fin structure, and performing a first annealing process to make the radius of curvature of the first fin structure different from the radius of curvature of the second fin structure.
公开/授权文献:
- CN110010684B 半导体元件及其制作方法 公开/授权日：2022-09-06
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |