基本信息:
- 专利标题： 用于氢化四氯化硅的方法
- 专利标题（英）：PROCESS FOR HYDROGENATING SILICON TETRACHLORIDE
- 申请号：CN201680090829.2 申请日：2016-11-23
- 公开(公告)号：CN109963645A 公开(公告)日：2019-07-02
- 发明人： 马丁·策特尔 , 安德烈亚斯·希尔施曼 , 乌韦·佩措尔德 , 罗伯特·林
- 申请人： 瓦克化学股份公司
- 申请人地址： 德国慕尼黑
- 专利权人： 瓦克化学股份公司
- 当前专利权人： 瓦克化学股份公司
- 当前专利权人地址： 德国慕尼黑
- 代理机构： 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 殷爽
- 国际申请： PCT/EP2016/078600 2016.11.23
- 国际公布： WO2018/095525 DE 2018.05.31
- 进入国家日期： 2019-05-14
- 主分类号： B01J12/00
- IPC分类号： B01J12/00 ; B01J19/02 ; C01B33/107
摘要：
本发明涉及用于在反应器中氢化四氯化硅的方法，其中通过包括石墨表面的至少一个加热元件将含有氢气和四氯化硅的反应气加热至850℃和1600℃之间的温度，其中加热元件的温度在850℃和1600℃之间。该方法的特征在于以基于氢气的0.1至10％的物质量部分将氮化合物加入至反应气。
摘要（英）：
The invention relates to a process for hydrogenating silicon tetrachloride in a reactor, wherein a reactant gas containing hydrogen and silicon tetrachloride is heated to a temperature between 850 DEGC and 1600 DEG C by means of at least one heating element, which comprises a graphite surface, wherein the temperature of the heating element is between 850 DEG C and 1600 DEG C. The process is characterized in that a nitrogen compound is added to the reactant gas in a substance amount fraction of 0.1% to 10% based on hydrogen.
公开/授权文献:
- CN109963645B 用于氢化四氯化硅的方法 公开/授权日：2022-03-11
IPC结构图谱:
| B | 作业；运输 |
| --B01 | 一般的物理或化学的方法或装置 |
| ----B01J | 化学或物理方法，例如，催化作用、胶体化学；其有关设备 |
| ------B01J12/00 | 用于使气体介质与气体介质反应的一般化学方法；其专用设备 |