基本信息:
- 专利标题： 四元自旋霍尔存储器
- 专利标题（英）：QUATERNARY SPIN HALL MEMORY
- 申请号：CN201680090488.9 申请日：2016-12-05
- 公开(公告)号：CN109923686A 公开(公告)日：2019-06-21
- 发明人： S·马尼帕特鲁尼 , D·E·尼科诺夫 , I·A·扬
- 申请人： 英特尔公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚
- 专利权人： 英特尔公司
- 当前专利权人： 英特尔公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理人： 孟杰雄; 王英
- 国际申请： PCT/US2016/065023 2016.12.05
- 国际公布： WO2018/106212 EN 2018.06.14
- 进入国家日期： 2019-04-28
- 主分类号： H01L43/02
- IPC分类号： H01L43/02 ; H01L43/08 ; H01L43/10
摘要：
提供了一种装置，所述装置包括：第一磁性结，其具有固定磁性层和4态自由磁性层；第二磁性结，其具有固定磁性层和4态自由磁性层；以及自旋轨道耦合材料的第一层，其经由所述第一磁性结和所述第二磁性结的各自的4态自由磁性层与所述第一磁性结和所述第二磁性结相邻。描述了一种装置，所述装置包括：4态自由磁性层；SOC材料层，其与所述4态自由磁性层相邻；以及第一互连，其耦合到所述SOC材料层。
摘要（英）：
An apparatus is provided which comprises: a first magnetic junction having a fixed magnetic layer and a 4-state free magnetic layer; a second magnetic junction having a fixed magnetic layer and a 4-state free magnetic layer; and a first layer of spin orbit coupling material adjacent to the first magnetic junction and the second magnetic junction via their respective 4-state free magnetic layers. Described is an apparatus which comprises a 4-state free magnetic layer; a layer of SOC material adjacent to the 4-state free magnetic layer; a first interconnect coupled to the layer of SOC material.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L43/00 | 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L43/02 | .零部件 |