基本信息:
- 专利标题： 识别晶片中缺陷区域的方法
- 申请号：CN201811480564.4 申请日：2018-12-05
- 公开(公告)号：CN109887854B 公开(公告)日：2023-08-04
- 发明人： 李在炯
- 申请人： 爱思开矽得荣株式会社
- 申请人地址： 韩国庆尚北道
- 专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
- 当前专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国庆尚北道
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理人： 蔡文清; 郭辉
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66
摘要：
公开了一种识别晶片缺陷区域的方法。所述方法包括：制备样品晶片，在800℃至1000℃的温度下在样品晶片上形成初级氧化物膜，在1000℃至1100℃的温度下在初级氧化物膜上形成第二氧化物膜，在1100℃至1200℃的温度下在第二氧化物膜上形成第三氧化物膜，去除初级氧化物膜至第三氧化物膜，对去除了初级氧化物膜至第三氧化物膜的样品晶片的一个表面进行蚀刻，以在样品晶片的一个表面上形成模糊化，并且基于模糊化识别样品晶片的缺陷区域。
公开/授权文献:
- CN109887854A 识别晶片中缺陷区域的方法 公开/授权日：2019-06-14
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/66 | .在制造或处理过程中的测试或测量 |