基本信息:
- 专利标题： 一种用于半导体激光器的皮秒级脉冲发生电路
- 专利标题（英）：Picosecond pulse generating circuit for semiconductor laser
- 申请号：CN201910051936.X 申请日：2019-01-21
- 公开(公告)号：CN109861076A 公开(公告)日：2019-06-07
- 发明人： 陈少强 , 冉旭 , 刁盛锡 , 田赟鹏 , 李鹏涛 , 徐冬冬 , 王亚斯
- 申请人： 华东师范大学
- 申请人地址： 上海市闵行区东川路500号
- 专利权人： 华东师范大学
- 当前专利权人： 华东师范大学
- 当前专利权人地址： 上海市闵行区东川路500号
- 代理机构： 上海蓝迪专利商标事务所
- 代理人： 徐筱梅; 张翔
- 主分类号： H01S5/042
- IPC分类号： H01S5/042
The invention discloses a picosecond pulse generating circuit for a semiconductor laser, which comprises a trigger signal module and a CMOS pulse generating module, wherein the trigger signal module is connected with the CMOS pulse generating module; and the CMOS pulse generating module generates pulse output. A short pulse is generated by using the competing relationship between AND gate input and output. The amplitude and the pulse width of the pulse can be controlled by adjusting the bias voltage of a varactor and an MOSFET. Electrical pulse signals with the pulse width in a range of 80ps to 270ns and the amplitude up to 1.8 V can be generated. The picosecond pulse generating circuit disclosed in the invention can be conveniently applied to drive of the semiconductor laser.
公开/授权文献:
- CN109861076B 一种用于半导体激光器的皮秒级脉冲发生电路 公开/授权日：2020-08-04