基本信息:
- 专利标题： 一种IGBT、IGBT背面的制作方法和装置
- 申请号：CN201910040864.9 申请日：2019-01-16
- 公开(公告)号：CN109860283B 公开(公告)日：2024-09-20
- 发明人： 朱涛 , 刘瑞 , 曹功勋 , 吴昊 , 金锐 , 吴军民 , 潘艳
- 申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网湖北省电力有限公司 , 国家电网有限公司
- 申请人地址： 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
- 专利权人： 全球能源互联网研究院有限公司,国网湖北省电力有限公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人： 全球能源互联网研究院有限公司,国网湖北省电力有限公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
- 代理机构： 北京安博达知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐国文
- 主分类号： H01L29/739
- IPC分类号： H01L29/739 ; H01L21/331
摘要：
本发明提供了一种IGBT、IGBT背面的制作方法和装置，在N型硅片的背面采用离子注入方式形成场终止层，并对所述场终止层进行激光退火处理；在所述场终止层的底部形成P+集电极层，并依次对有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层进行激光退火处理；在所述有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层的底部分别形成背面金属层，不需要光刻程序，仅需要一次注入即可形成，简化了制作过程，大大提高了制作效率，降低了制作成本。且本发明通过不同激光退火条件实现有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层激光退火，能够降低终端区P+注入效率，减小过渡区电场积累，提高IGBT可靠性。
公开/授权文献:
- CN109860283A 一种IGBT、IGBT背面的制作方法和装置 公开/授权日：2019-06-07
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/72 | ....晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的 |
| ----------------H01L29/739 | .....受场效应控制的 |