基本信息:
- 专利标题： 量子点发光装置
- 专利标题（英）：QUANTUM DOT LIGHT EMITTING DEVICES
- 申请号：CN201780064920.1 申请日：2017-06-26
- 公开(公告)号：CN109844979A 公开(公告)日：2019-06-04
- 发明人： A·N·索科洛夫 , B·古德费洛 , R·D·格里格 , L·P·斯潘塞 , J·W·克雷默 , D·D·德沃尔 , S·穆霍帕德亚 , P·特雷夫纳斯三世
- 申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
- 申请人地址： 美国密歇根州
- 专利权人： 陶氏环球技术有限责任公司,罗门哈斯电子材料有限责任公司
- 当前专利权人： 陶氏环球技术有限责任公司,罗门哈斯电子材料有限责任公司
- 当前专利权人地址： 美国密歇根州
- 代理机构： 北京泛华伟业知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐舒
- 优先权： 62/417539 2016.11.04 US
- 国际申请： PCT/US2017/039188 2017.06.26
- 国际公布： WO2018/084899 EN 2018.05.11
- 进入国家日期： 2019-04-19
- 主分类号： H01L51/50
- IPC分类号： H01L51/50
摘要：
本发明提供一种量子点发光二极管，其包括：i)至少一个由选自由以下组成的群组的半导体材料制得的半导体纳米粒子的发射层：第II-VI族化合物、第II-V族化合物、第III-VI族化合物、第III-V族化合物、第IV-VI族化合物、第I-III-VI族化合物、第II-IV-VI族化合物、第II-IV-V族化合物或其任何组合；和ii)用于空穴注入层或空穴传输层的聚合物，其包括一个或多个具有结构(S1)的三芳基铵自由基阳离子。
摘要（英）：
The present invention provides a quantum dot light emitting diode comprising i) an emitting layer of at least one semiconductor nanoparticle made from semiconductor materials selected from the group consisting of Group II-VI compounds, Group II-V compounds, Group III-VI compounds, Group III-V compounds, Group IV-VI compounds, Group I-III-VI compounds, Group II-IV-VI compounds, Group II-IV-V compounds, or any combination thereof; and ii) a polymer for hole injection or hole transport layer, comprising one or more triaryl aminium radical cations having the structure (S1).
公开/授权文献:
- CN109844979B 量子点发光装置 公开/授权日：2022-04-19