基本信息:
- 专利标题： 一种超结器件结构、器件及制备方法
- 申请号：CN201811477951.2 申请日：2018-12-05
- 公开(公告)号：CN109801957B 公开(公告)日：2022-04-26
- 发明人： 王琳 , 王立新 , 宋李梅 , 罗家俊 , 韩郑生
- 申请人： 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构： 北京华沛德权律师事务所
- 代理人： 房德权
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/423 ; H01L29/78 ; H01L21/28 ; H01L21/336
摘要：
本发明实施例提供了一种超结器件结构、器件及制备方法，其中所述超结器件结构，包括：衬底第一掺杂类型柱区、第二掺杂类型柱区、第一栅极、第二栅极以及第一引流区；所述第一掺杂类型柱区、所述第二掺杂类型柱区均设置在所述衬底上方，所述第二掺杂类型柱区位于两个所述第一掺杂类型柱区之间，所述第一栅极和所述第二栅极隔离，且分别设置在两个所述第一掺杂类型柱区的基区上方，所述第二掺杂类型柱区的顶端设置有用于引导电荷流向的第一引流区。本发明解决了现有技术在实现抗单粒子栅穿的同时带来的第一掺杂类型和第二掺杂类型柱区的电荷不平衡问题，提高了超结器件的动态特性，以及抗单粒子特性。
公开/授权文献:
- CN109801957A 一种超结器件结构、器件及制备方法 公开/授权日：2019-05-24