基本信息:
- 专利标题： 电镀金属化结构
- 专利标题（英）：PLATED METALLIZATION STRUCTURES
- 申请号：CN201811342215.6 申请日：2018-11-13
- 公开(公告)号：CN109786355A 公开(公告)日：2019-05-21
- 发明人： J·库比克 , B·P·斯滕森 , M·N·莫里塞
- 申请人： 亚德诺半导体无限责任公司
- 申请人地址： 百慕大群岛(英)哈密尔顿
- 专利权人： 亚德诺半导体无限责任公司
- 当前专利权人： 亚德诺半导体无限责任公司
- 当前专利权人地址： 百慕大群岛(英)哈密尔顿
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 郭万方
- 优先权： 15/810,836 2017.11.13 US
- 主分类号： H01L23/50
- IPC分类号： H01L23/50 ; H01L21/48
The disclosed technology generally relates to forming metallization structures for integrated circuit devices by plating, and more particularly to plating metallization structures that are thicker than masking layers used to define the metallization structures. In one aspect, a method of metallizing an integrated circuit device includes plating a first metal on a substrate in a first opening formed through a first masking layer, where the first opening defines a first region of the substrate, and plating a second metal on the substrate in a second opening formed through a second masking layer,where the second opening defines a second region of the substrate. The second opening is wider than the first opening and the second region encompasses the first region of the substrate.
公开/授权文献:
- CN109786355B 电镀金属化结构 公开/授权日：2023-09-15
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/50 | ..用于集成电路器件的 |