基本信息:
- 专利标题： 半导体器件及其制造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and method of fabricating the same
- 申请号：CN201711106070.5 申请日：2017-11-10
- 公开(公告)号：CN109786328A 公开(公告)日：2019-05-21
- 发明人： 闫德海 , 靳颖 , 黄海英 , 牛健
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 上海思微知识产权代理事务所
- 代理人： 屈蘅; 李时云
- 主分类号： H01L21/8234
- IPC分类号： H01L21/8234 ; H01L27/088 ; H01L29/06
The invention provides a semiconductor device and a method of fabricating the same. A threshold voltage adjustment ion implantation is performed on each of the transistor regions by a full ion implantation process to form a threshold voltage adjustment layer, threshold voltages and leakage currents of the formed transistors are adjusted, an ion implantation step primarily requiring mask of the gate polysilicon can be omitted at the same time, and a first well structure having a first conductivity type may be employed instead of the common well structure of the first conductivity type in transistor regions such as a low voltage PMOS transistor region of the semiconductor substrate to eliminate the process of forming a common well structure of the first conductivity type in the low voltage PMOS transistor formed by using the mask, thereby saving two photolithographic masks, improving resource waste and simplifying the process.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
| --------------------H01L21/8234 | .......MIS工艺 |