基本信息:
- 专利标题： 自对准双重图案方法
- 专利标题（英）：Self-alignment dual-pattern method
- 申请号：CN201711082701.4 申请日：2017-11-07
- 公开(公告)号：CN109755107A 公开(公告)日：2019-05-14
- 发明人： 张峰溢 , 李甫哲 , 林盈志 , 林刚毅 , 陈界得 , 张翊菁
- 申请人： 联华电子股份有限公司 , 福建省晋华集成电路有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市
- 专利权人： 联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司
- 当前专利权人： 联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 陈小雯
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027
摘要：
本发明公开一种自对准双重图案方法，其步骤包含在一硬掩模层上形成多条芯线以及位于每一芯线两侧的间隔壁、在间隔壁之间填入保护层、移除该些芯线以裸露出硬掩模层、以及以间隔壁与保护层为蚀刻掩模进行各向异性蚀刻制作工艺来移除部分的硬掩模层，使得从间隔壁之间裸露的硬掩模层的厚度等于保护层下方的硬掩模层的厚度。
摘要（英）：
The invention discloses a self-alignment dual-pattern method. The self-alignment dual-pattern method comprises the steps of forming a plurality of core lines on a hard mask layer, filling protection layers in interval walls at two sides of each core line, filling protection layers between the interval walls, removing the core lines to expose the hard mask layer, and performing an anisotropy etching fabrication process by taking the interval walls and the protection layers as etching masks to remove parts of hard mask layers so that the thickness of the hard mask layer exposed between the interval walls is equal to the thickness of the hard mask layer below the protection layers.
公开/授权文献:
- CN109755107B 自对准双重图案方法 公开/授权日：2020-09-29
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |