基本信息:
- 专利标题： 一种阻变存储器及其制造方法
- 申请号：CN201811645090.4 申请日：2018-12-29
- 公开(公告)号：CN109728163B 公开(公告)日：2023-05-23
- 发明人： 高建峰 , 项金娟 , 刘卫兵 , 李俊峰
- 申请人： 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人： 王宝筠
- 主分类号： H10N70/00
- IPC分类号： H10N70/00 ; H10B63/10
摘要：
本申请实施例公开了一种阻变存储器及其制造方法，通过提供基底，在基底上形成有金属栓塞作为下电极，在下电极上形成阻变功能层、上电极层和互连金属层，根据金属栓塞的位置，对互连金属层、上电极层、阻变功能层进行刻蚀，以使互连金属层、上电极层、阻变功能层和金属栓塞对准。由于本申请实施例中，互连金属层、上电极层和阻变功能层是一次性刻蚀的，因此可以实现这三个膜层的自对准，在技术上来说，即使这三个膜层的面积大于金属栓塞的面积，也不影响器件的实现，因此相比于现有技术中在上电极层上形成阻挡层，对阻挡层进行刻蚀，形成与金属栓塞对准的通孔，并在通孔中形成互连金属层来说，对准要求更低，因此提高了良品率。
公开/授权文献:
- CN109728163A 一种阻变存储器及其制造方法 公开/授权日：2019-05-07
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10N | 其它不包括的电固态器件 |
| ------H10N70/00 | 无电势跳跃势垒或表面势垒、特别适用于整流、放大、振荡或开关的固态器件 |