基本信息:
- 专利标题： 用于预测硅晶片氧化物层厚度的方法
- 申请号：CN201811276317.2 申请日：2018-10-30
- 公开(公告)号：CN109727884B 公开(公告)日：2023-08-04
- 发明人： 朴正吉 , 郑盛宇 , 金慈暎
- 申请人： 爱思开矽得荣株式会社
- 申请人地址： 韩国庆尚北道
- 专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
- 当前专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国庆尚北道
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理人： 蔡文清; 郭辉
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66
摘要：
一个实施方式提供了用于预测硅晶片氧化物层厚度的方法，所述方法包括：使热处理炉(炉)老化；在将多个参考晶片设置在位于炉中的热处理舟的槽中并形成氧化物层之后，对每层氧化物层的厚度进行测定；以及在将多个参考晶片和测试晶片设置在位于炉中的热处理舟的槽中并形成氧化物层之后，对每层氧化物层的厚度进行测定。
公开/授权文献:
- CN109727884A 用于预测硅晶片氧化物层厚度的方法 公开/授权日：2019-05-07
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/66 | .在制造或处理过程中的测试或测量 |