基本信息:
- 专利标题： 一种碳化硅肖特基二极管及其制造方法
- 专利标题（英）：Silicon carbide Schottky diode and manufacturing method thereof
- 申请号：CN201710980467.0 申请日：2017-10-19
- 公开(公告)号：CN109686797A 公开(公告)日：2019-04-26
- 发明人： 李诚瞻 , 吴煜东 , 戴小平 , 史晶晶 , 王弋宇
- 申请人： 株洲中车时代电气股份有限公司
- 申请人地址： 湖南省株洲市石峰区时代路169号
- 专利权人： 株洲中车时代电气股份有限公司
- 当前专利权人： 株洲中车时代半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 湖南省株洲市石峰区时代路169号
- 代理机构： 北京聿宏知识产权代理有限公司
- 代理人： 吴大建; 张杰
- 主分类号： H01L29/872
- IPC分类号： H01L29/872 ; H01L29/24 ; H01L29/47
摘要：
本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制造方法。所述碳化硅肖特基二极管包括复合肖特基接触结构，所述复合肖特基接触结构包括碳化硅外延层、肖特基金属层以及设置在所述碳化硅外延层与肖特基金属层之间的石墨烯层，所述石墨烯层用以阻挡所述碳化硅外延层的碳化硅原子和所述肖特基金属层的金属原子之间互相渗透，从而减小所述复合肖特基接触结构的漏电流。
摘要（英）：
The invention discloses a silicon carbide Schottky diode and a manufacturing method thereof. The silicon carbide Schottky diode comprises a composite Schottky contact structure, wherein the compositeSchottky contact structure comprises a silicon carbide epitaxial layer, a Schottky metal layer and a graphene layer arranged between the silicon carbide epitaxial layer and the Schottky metal layer, the graphene layer is used for blocking the interpenetration between silicon carbide atoms of the silicon carbide epitaxial layer and metal atoms of the Schottky metal layer, thereby reducing the leakage current of the composite Schottky contact structure.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/86 | ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的 |
| ------------H01L29/861 | ...二极管 |
| --------------H01L29/872 | ....肖特基二极管 |