基本信息:
- 专利标题： 具有岸结构的电子器件
- 专利标题（英）：ELECTRONIC DEVICE WITH BANK STRUCTURES
- 申请号：CN201780049859.3 申请日：2017-08-14
- 公开(公告)号：CN109564984A 公开(公告)日：2019-04-02
- 发明人： 陈莉惠 , 彼得·莱弗莫尔 , 丹尼尔·瓦尔克
- 申请人： 默克专利有限公司
- 申请人地址： 德国达姆施塔特
- 专利权人： 默克专利有限公司
- 当前专利权人： 默克专利有限公司
- 当前专利权人地址： 德国达姆施塔特
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 李金刚; 梁晓广
- 优先权： 16184496.4 2016.08.17 EP
- 国际申请： PCT/EP2017/070562 2017.08.14
- 国际公布： WO2018/033510 EN 2018.02.22
- 进入国家日期： 2019-02-14
- 主分类号： H01L51/52
- IPC分类号： H01L51/52 ; H01L27/32
摘要：
具有位于公用衬底上的多个阱区的电子器件和相关方法，其中每个阱区由至少三个岸结构限定，所述岸结构形成阱区的侧壁。在每个阱区内存在至少两个电极段，其中电极段由至少一个绝缘岸在侧向上间隔开，其中绝缘岸比电极段厚。存在完全填充阱区的至少一个电荷输送层，其直接接触并且叠加在电极段和绝缘岸两者的上面。阱区用诸如喷墨的溶液方法填充。这些器件在活性区上具有改进的均匀性。
摘要（英）：
Electronic device and associated methods with multiple well areas located on a common substrate, where each well area is defined by at least three bank structures that form the side walls of the wellarea. Within each well area, there are at least two electrode segments where the electrode segments are separated laterally by at least one insulating bank where the insulating bank(s) are thicker than the electrode segments. There is at least one charge transporting layer completely filling the well area in direct contact and overlying both the electrode segments and the insulating bank(s). The well areas are filled using solution methods such as inkjet. Such devices have improved uniformity across the active areas.
公开/授权文献:
- CN109564984B 具有岸结构的电子器件 公开/授权日：2022-07-05