基本信息:
- 专利标题： 基于人工反铁磁固定层的磁性结构及SOT-MRAM
- 专利标题（英）：Magnetic structure based on antiferromagnet fixing layer, and SOT-MRAM
- 申请号：CN201811271339.X 申请日：2018-10-29
- 公开(公告)号：CN109560193A 公开(公告)日：2019-04-02
- 发明人： 闵泰 , 周学松 , 周雪 , 王蕾
- 申请人： 西安交通大学
- 申请人地址： 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- 专利权人： 西安交通大学
- 当前专利权人： 西安交通大学
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- 代理机构： 西安通大专利代理有限责任公司
- 代理人： 姚咏华
- 主分类号： H01L43/08
- IPC分类号： H01L43/08 ; H01L43/06 ; H01L43/10 ; G11C11/16
The invention discloses a magnetic structure based on an artificial antiferromagnet fixing layer, and a spin-orbit torque magnetic random access memory SOT-MRAM. The magnetic structure comprises a magnetic tunnel junction of a fixing layer that is regulated and controlled by an electric field and is based on an artificial antiferromagnet device and a spin-orbit torque material layer, wherein the fixing layer based on the artificial antiferromagnet device can achieve antiferromagnet coupling enhancement through the regulation and control of the electric field. The device can realize the stablewriting of data under the coaction of the electric field and current, has a simple structure, and has the advantages of high density, low power consumption, high speed, radiation resistance and non-volatility.
公开/授权文献:
- CN109560193B 基于人工反铁磁固定层的磁性结构及SOT-MRAM 公开/授权日：2021-01-19
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L43/00 | 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L43/08 | .磁场控制的电阻器 |