基本信息:
- 专利标题： 单层石墨烯本征缺陷下的电导率计算方法
- 申请号：CN201811156912.2 申请日：2018-09-30
- 公开(公告)号：CN109543211A 公开(公告)日：2019-03-29
- 发明人： 杨生胜 , 薛玉雄 , 黄文超 , 王小军 , 黄一凡 , 张晨光 , 苗育君 , 王光毅
- 申请人： 兰州空间技术物理研究所
- 申请人地址： 甘肃省兰州市城关区渭源路97号
- 专利权人： 兰州空间技术物理研究所
- 当前专利权人： 兰州空间技术物理研究所
- 当前专利权人地址： 甘肃省兰州市城关区渭源路97号
- 代理机构： 北京理工大学专利中心
- 代理人： 代丽; 仇蕾安
- 主分类号： G06F17/50
- IPC分类号： G06F17/50
摘要：
本发明公开了一种单层石墨烯本征缺陷下的电导率计算方法。使用本发明能够计算出完美石墨烯晶胞结构出现本征缺陷之后的结构与电子特性的改变，进而得到其电导率的变化情况。本发明首先建立单层石墨烯各类型本征缺陷的晶胞构型模型；然后利用第一性原理得到缺陷结构最为稳定的晶胞常数；通过对比完备完美晶胞和完备缺陷晶胞的晶胞结构、静态情形以及能态密度，理论分析并推导出石墨烯出现本征缺陷之后的电导率变化情况。本发明基于严谨理论分析手段拓展了实验测量，适用于石墨烯缺陷对其电导率的极为敏感的影响分析。
公开/授权文献:
- CN109543211B 单层石墨烯本征缺陷下的电导率计算方法 公开/授权日：2023-02-17