基本信息:
- 专利标题： 半导体装置
- 申请号：CN201810177805.1 申请日：2018-03-05
- 公开(公告)号：CN109509790B 公开(公告)日：2022-06-07
- 发明人： 玉城朋宏
- 申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
- 申请人地址： 日本东京都;
- 专利权人： 株式会社东芝,东芝电子元件及存储装置株式会社
- 当前专利权人： 株式会社东芝,东芝电子元件及存储装置株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都;
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理人： 房永峰
- 优先权： 2017-178414 20170915 JP
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/06
摘要：
实施方式的半导体装置具备：半导体层，具有第一面和第二面；第一电极；第二电极；第一导电型的第一半导体区域，设于半导体层中；第二导电型的第二半导体区域，设于第一半导体区域与第一面之间，与第一电极电连接；以及，第二导电型的第三半导体区域，围绕第二半导体区域设置，并设于第一半导体区域与第一面之间，具有第一区域、比第一区域远离第二半导体区域的第二区域、比第二区域远离第二半导体区域的第三区域，第一区域、第二区域以及第三区域的第二导电型的杂质量比第二半导体区域少，第一区域的第二导电型的杂质量比第二区域少，第三区域的第二导电型的杂质量比第二区域少。
公开/授权文献:
- CN109509790A 半导体装置 公开/授权日：2019-03-22
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |