基本信息:
- 专利标题： 一种双面晶硅太阳能电池及其制作方法
- 申请号：CN201811604862.X 申请日：2018-12-26
- 公开(公告)号：CN109461783A 公开(公告)日：2019-03-12
- 发明人： 张树德 , 魏青竹 , 倪志春 , 钱洪强 , 连维飞 , 胡党平 , 王泽辉
- 申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 南京航空航天大学
- 申请人地址： 江苏省苏州市常熟沙家浜常昆工业园腾晖路1号
- 专利权人： 苏州腾晖光伏技术有限公司,南京航空航天大学
- 当前专利权人： 苏州腾晖光伏技术有限公司,南京航空航天大学
- 当前专利权人地址： 江苏省苏州市常熟沙家浜常昆工业园腾晖路1号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人： 罗满
- 主分类号： H01L31/068
- IPC分类号： H01L31/068 ; H01L31/0216 ; H01L31/047 ; H01L31/18
摘要：
本发明公开了一种双面晶硅太阳能电池，所述双面晶硅太阳能电池由第一迎光面至第二迎光面依次包括第一电极、P型半导体层、N型基体、介质层及第二电极；所述介质层为带高固定负电荷的介质层；所述介质层在所述N型基体与所述介质层接触的表面感应形成P型反型层；所述介质层具有与所述第二电极相配合的图案，使所述第二电极可直接与所述N型基体接触。本发明会在N型基体的第二迎光面表面附近形成浮动结，抑制了第二迎光面的表面复合，增大了双面晶硅太阳能电池的光电转换效率，同时，上述介质层可由简单的沉积工艺设置，相较于现有技术，成本低廉，工艺简单。本发明还同时提供了一种具有上述有益效果的双面晶硅太阳能电池的制作方法。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L31/042 | ..包括光电池板或阵列，如太阳电池板或阵列 |
| ------------H01L31/068 | ...只是PN单质结型势垒的 |