基本信息:
- 专利标题： 超级结功率半导体装置和其形成方法
- 专利标题（英）：Super junction power semiconductor device and method of forming same
- 申请号：CN201810971246.1 申请日：2018-08-24
- 公开(公告)号：CN109427592A 公开(公告)日：2019-03-05
- 发明人： 覃甘明 , V·坎姆卡 , T·萨克塞纳 , M·兹图尼 , R·V·古普塔 , M·E·吉普森
- 申请人： 恩智浦美国有限公司
- 申请人地址： 美国得克萨斯
- 专利权人： 恩智浦美国有限公司
- 当前专利权人： 恩智浦美国有限公司
- 当前专利权人地址： 美国得克萨斯
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 秦晨
- 优先权： 15/687,881 2017.08.28 US
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/78 ; H01L29/423
A method for manufacturing a super junction power MOSFET includes forming a first trench in a substrate, forming a first oxide layer over the substrate and in the bottom and along sidewalls of the trench, depositing electrically conductive material in the trench, masking a first portion of the electrically conductive material, forming a recessed portion of the electrically conductive material, forming an oxide portion over and in contact with the recessed portion of the electrically conductive material, removing a part of the oxide portion by masking, removing the first oxide layer on the sidewalls while another part of the oxide portion remains in contact with the recessed portion of the electrically conductive material, forming a gate dielectric along exposed sidewalls of the trench, anddepositing additional electrically conductive material over the other part of the oxide portion in the trench.
公开/授权文献:
- CN109427592B 超级结功率半导体装置和其形成方法 公开/授权日：2023-10-31
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |