基本信息:
- 专利标题： 包含多层字线阻挡膜的三维存储器件及其制造方法
- 申请号：CN201780027657.9 申请日：2017-04-25
- 公开(公告)号：CN109417025A 公开(公告)日：2019-03-01
- 发明人： R.沙兰格帕尼 , R.S.马卡拉 , K.舒克拉 , F.周 , S.佩里 , 天野文贵
- 申请人： 桑迪士克科技有限责任公司
- 申请人地址： 美国得克萨斯州
- 专利权人： 桑迪士克科技有限责任公司
- 当前专利权人： 桑迪士克科技有限责任公司
- 当前专利权人地址： 美国得克萨斯州
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 邱军
- 优先权： 62/355,765 2016.06.28 US
- 国际申请： PCT/US2017/029363 2017.04.25
- 国际公布： WO2018/004804 EN 2018.01.04
- 进入国家日期： 2018-11-02
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L29/792 ; H01L27/11582
摘要：
通过绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠形成存储堆叠结构。通过针对所述绝缘层和所述存储堆叠结构选择性地移除所述牺牲材料层来形成背面凹陷部。在形成金属填充材料层之前，在所述背面凹陷部中形成阻挡层堆叠，所述阻挡层堆叠包括晶体导电阻挡层和无定形阻挡层。
公开/授权文献:
- CN109417025B 包含多层字线阻挡膜的三维存储器件及其制造方法 公开/授权日：2024-01-30
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/28 | ....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的 |