基本信息:
- 专利标题： 半导体封装及其形成方法
- 申请号：CN201810824906.3 申请日：2018-07-25
- 公开(公告)号：CN109411369B 公开(公告)日：2023-10-17
- 发明人： S·克里南 , 王松伟 , 周志雄 , 刘豪杰 , 陈费费
- 申请人： 半导体元件工业有限责任公司
- 申请人地址： 美国亚利桑那州
- 专利权人： 半导体元件工业有限责任公司
- 当前专利权人： 半导体元件工业有限责任公司
- 当前专利权人地址： 美国亚利桑那州
- 代理机构： 北京派特恩知识产权代理有限公司
- 代理人： 王琳; 姚开丽
- 主分类号： H01L21/56
- IPC分类号： H01L21/56 ; H01L23/31
摘要：
本发明涉及半导体封装及其形成方法。形成半导体封装的方法的实施方式可包括在晶圆的第一侧中形成多个凹槽，晶圆的第一侧包括多个电触点。所述方法还可包括使用模塑料涂布晶圆的第一侧和多个凹槽的内部，磨削晶圆的第二侧以将所述晶圆减薄到所需厚度，在晶圆的第二侧上形成背金属，通过磨削模塑料的第一侧来暴露多个电触点，以及在多个凹槽处对所述晶圆进行切单以形成多个半导体封装。
公开/授权文献:
- CN109411369A 半导体封装及其形成方法 公开/授权日：2019-03-01
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/56 | ....封装，例如密封层、涂层 |