基本信息:
- 专利标题： 一种超致密Cu(OH)2纳米线的制备方法及产品
- 申请号：CN201811208448.7 申请日：2018-10-17
- 公开(公告)号：CN109402580B 公开(公告)日：2020-02-21
- 发明人： 廖广兰 , 林建斌 , 谭先华 , 方涵 , 史铁林 , 汤自荣
- 申请人： 华中科技大学
- 申请人地址： 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人： 华中科技大学
- 当前专利权人： 华中科技大学
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 代理机构： 华中科技大学专利中心
- 代理人： 曹葆青; 李智
- 主分类号： C23C14/35
- IPC分类号： C23C14/35 ; C23C14/08 ; C23C14/18 ; C23C18/12 ; C23C28/00 ; G01N33/00 ; B82Y40/00
The invention belongs to the technical field of micro-nano manufacturing, and discloses a preparation method of a super-dense Cu(OH)2 nanowire and a product. The method comprises the following steps:S1, preparation of a ZnO seed layer: depositing a layer of ZnO film on a substrate; S2, preparation of a ZnO catalytic nanorod: placing the substrate on which the ZnO is deposited in a mixed growth solution of Zn(NO3)2.6(H2O) and C6H12N4; S3, preparation of a Cu seed layer: depositing a Cu seed layer on the surface of the ZnO catalytic nanorod; S4, growth of a nanowire: placing the substrate on which the Cu seed layer is deposited in a mixed solution of NaOH and (NH4)2S2O8 in order to grow the super-dense CU(OH)2 nanowire. The invention further discloses the super-dense Cu(OH)2 nanowire. The appearance of the Cu(OH)2 nanowire prepared by the method has the characteristics of higher quality, higher density, and large specific surface area.
公开/授权文献:
- CN109402580A 一种超致密Cu(OH)2纳米线的制备方法及产品 公开/授权日：2019-03-01