基本信息:
- 专利标题： 一种硅微桥压阻式MEMS温度传感器及其制作方法
- 申请号：CN201811428835.1 申请日：2018-11-27
- 公开(公告)号：CN109399554A 公开(公告)日：2019-03-01
- 发明人： 余占清 , 王晓蕊 , 牟亚 , 曾嵘 , 庄池杰
- 申请人： 广东电网有限责任公司惠州供电局 , 清华大学
- 申请人地址： 广东省惠州市惠城区惠州大道中19号
- 专利权人： 广东电网有限责任公司惠州供电局,清华大学
- 当前专利权人： 广东电网有限责任公司惠州供电局,清华大学
- 当前专利权人地址： 广东省惠州市惠城区惠州大道中19号
- 代理机构： 北京知联天下知识产权代理事务所
- 代理人： 张陆军; 张迎新
- 主分类号： B81B7/02
- IPC分类号： B81B7/02 ; B81C1/00
摘要：
本发明公开了一种硅微桥压阻式MEMS温度传感器及其制作方法，所述传感器采用硅微桥双层膜结构，且制作在SOI器件上，下层为SOI器件的顶层硅，所述顶层硅上通过离子注入工艺形成压敏电阻；上层为通过溅射工艺形成的金属铝层；所述硅微桥下方悬空，且不与所述SOI器件的衬底硅相连接。该传感器结构相对稳定，且灵敏度高，硅微桥为可动结构，发生热膨胀时，压敏电阻值发生变化，通过电路的连接可以检测出电阻值的变化，基于电阻值的变化与温度变化呈现的数值关系，从而实现温度的测量。
公开/授权文献:
- CN109399554B 一种硅微桥压阻式MEMS温度传感器及其制作方法 公开/授权日：2024-02-09
IPC结构图谱:
| B | 作业；运输 |
| --B81 | 微观结构技术 |
| ----B81B | 微观结构的装置或系统，例如微观机械装置 |
| ------B81B7/00 | 微观结构系统 |
| --------B81B7/02 | .包括功能上有特定关系的不同的电或光学装置，例如微—电子—机械系统（MEMS） |