基本信息:
- 专利标题： 一种键合晶圆及其制备方法
- 申请号：CN201811232574.6 申请日：2018-10-22
- 公开(公告)号：CN109390305A 公开(公告)日：2019-02-26
- 发明人： 陈顺福 , 刘威 , 陈亮 , 吴昕 , 甘程
- 申请人： 长江存储科技有限责任公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
- 专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
- 代理机构： 北京派特恩知识产权代理有限公司
- 代理人： 王亮; 张颖玲
- 主分类号： H01L23/485
- IPC分类号： H01L23/485 ; H01L21/60
摘要：
本发明公开了一种键合晶圆及其制备方法。所述键合晶圆包括依次层叠的以下结构：第一晶圆；具有第一顶层金属的第一顶层金属绝缘层，所述第一顶层金属绝缘层层叠在所述第一晶圆上；一个或两个互连金属绝缘层，其中所述一个或两个互连金属绝缘层层叠在所述第一顶层金属绝缘层上，且在所述一个或两个互连金属绝缘层中形成有互连金属柱；具有第二顶层金属的第二顶层金属绝缘层，所述第二顶层金属绝缘层层叠在所述互连金属绝缘层上；和第二晶圆，所述第二晶圆层叠在所述第二顶层金属绝缘层上，其中，所述互连金属柱与所述第一顶层金属和所述第二顶层金属之间形成电连接。本发明的键合晶圆结构简单，制备方法经济简便，并避免引入更多缺陷。
公开/授权文献:
- CN109390305B 一种键合晶圆及其制备方法 公开/授权日：2021-05-11
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/482 | ..由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的 |
| ------------H01L23/485 | ...包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头 |