基本信息:
- 专利标题： 一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管
- 申请号：CN201811357021.3 申请日：2018-11-15
- 公开(公告)号：CN109346515A 公开(公告)日：2019-02-15
- 发明人： 陈万军 , 谯彬 , 高吴昊 , 张柯楠 , 夏云 , 刘超
- 申请人： 电子科技大学
- 申请人地址： 四川省成都市高新西区西源大道2006号
- 专利权人： 电子科技大学
- 当前专利权人： 电子科技大学
- 当前专利权人地址： 四川省成都市高新西区西源大道2006号
- 代理机构： 成都点睛专利代理事务所
- 代理人： 孙一峰
- 主分类号： H01L29/739
- IPC分类号： H01L29/739
摘要：
本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管。本发明对常规碳化硅IGBT的阴极区进行改造，通过在P+场截止层下增加一层N-IEB层(N type-Injection Enhanced Buffer layer，N型注入增强缓冲层)，由于N型注入增强缓冲层掺杂浓度较低，提高了该区域内少数载流子寿命及迁移率，从而增大了阴极结构中的少数载流子扩散长度，进而增大了阴极注入效率。且由于在N型衬底与N型注入增强缓冲层之间由于浓度差会产生内建电场，其方向由N型衬底指向N型注入增强缓冲层，阻止少子空穴由N型注入增强缓冲层向N型衬底扩散，从而降低少子空穴扩散电流，进而也增大了阴极注入效率。
公开/授权文献:
- CN109346515B 一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管 公开/授权日：2021-06-08
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/72 | ....晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的 |
| ----------------H01L29/739 | .....受场效应控制的 |