基本信息:
- 专利标题： 半导体器件及其制造方法
- 申请号：CN201810950282.X 申请日：2018-08-20
- 公开(公告)号：CN109346468A 公开(公告)日：2019-02-15
- 发明人： 赵豹 , 殷登平 , 姚飞 , 童亮
- 申请人： 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
- 申请人地址： 浙江省杭州市西湖区文三路90号71幢A1501-A1505、A1509-A1511室
- 专利权人： 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
- 当前专利权人： 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省杭州市西湖区文三路90号71幢A1501-A1505、A1509-A1511室
- 主分类号： H01L27/08
- IPC分类号： H01L27/08 ; H01L21/822
摘要：
本发明公开了一种半导体器件，包括具有第二掺杂类型的衬底；位于所述衬底上并部分覆盖所述衬底的介质层；位于所述衬底和所述介质层上的轻掺杂多晶半导体区；位于所述轻掺杂多晶半导体区中的具有第一掺杂类型的第一注入区；以及所述衬底中的杂质从被所述介质层部分裸露的衬底表面扩散至所述轻掺杂多晶半导体区中形成的具有第二掺杂类型的第一区域，其中，所述第一区域，所述轻掺杂多晶半导体区和所述第一注入区形成第一二极管。通过引入所述轻掺杂多晶半导体区减小器件的寄生电容，通过设计第一区域减小了第一二极管的结面积，进一步地减小了器件的寄生电容和结漏电流。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/08 | ...只包括有一种半导体组件的 |