基本信息:
- 专利标题： 一种工频下高介电常数屏蔽膜及其制备方法
- 申请号：CN201811084883.3 申请日：2018-09-18
- 公开(公告)号：CN109320944A 公开(公告)日：2019-02-12
- 发明人： 刘平 , 王鹏 , 王悦 , 代小敏 , 伍发元 , 徐锐
- 申请人： 国网江西省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司 , 南京先磁新材料科技有限公司
- 申请人地址： 江西省南昌市青山湖区民营科技园内民强路88号检测试验中心科研楼(第1-11层)
- 专利权人： 国网江西省电力有限公司电力科学研究院,国家电网有限公司,南京先磁新材料科技有限公司
- 当前专利权人： 国网江西省电力有限公司电力科学研究院,国家电网有限公司,南京先磁新材料科技有限公司
- 当前专利权人地址： 江西省南昌市青山湖区民营科技园内民强路88号检测试验中心科研楼(第1-11层)
- 代理机构： 南昌青远专利代理事务所
- 代理人： 刘爱芳
- 主分类号： C08L75/04
- IPC分类号： C08L75/04 ; C08K7/00 ; C08K5/43 ; C08K9/10 ; C08K7/18 ; C08J5/18 ; H05K9/00
摘要：
本发明提供了一种工频下高介电常数屏蔽膜及其制备方法，该屏蔽膜由热固性高分子树脂与花边形状软磁粉复合而成，并含有硫氰酸乙酯，其中硫氰酸乙酯所占的质量百分比为0.1％～10％。屏蔽膜通过将热固性高分子树脂溶解，并将软磁粉加入到溶解的高分子树脂中，搅拌均匀形成浆料，在体系中加入硫氰酸乙酯，并将混合浆料体系搅拌均匀后在离型基质上刮涂成膜、烘干固化制得。所制得的屏蔽膜在工频下具有显著较高的介电常数和正切损耗，同时直流电阻达到10的5次方欧姆以上，能够解决现有技术中容易产生电势差以及对电磁场的反射的问题。
IPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C08 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 |
| ----C08L | 高分子化合物的组合物 |
| ------C08L75/00 | 聚脲或聚氨酯的组合物；此种聚合物的衍生物的组合物 |
| --------C08L75/04 | .聚氨酯 |