基本信息:
- 专利标题： 包含具有甘脲骨架的化合物作为添加剂的抗蚀剂下层膜形成组合物
- 申请号：CN201780021847.X 申请日：2017-03-29
- 公开(公告)号：CN109313389B 公开(公告)日：2020-07-14
- 发明人： 臼井友辉 , 岸冈高广 , 境田康志 , 绪方裕斗
- 申请人： 日产化学株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 日产化学株式会社
- 当前专利权人： 日产化学株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 玉昌峰; 纪秀凤
- 优先权： 2016-067996 2016.03.30 JP
- 国际申请： PCT/JP2017/012902 2017.03.29
- 国际公布： WO2017/170696 JA 2017.10.05
- 进入国家日期： 2018-09-29
- 主分类号： G03F7/11
- IPC分类号： G03F7/11 ; C08K5/3445 ; C08L63/00 ; G03F7/20 ; H01L21/027
摘要：
提供抗蚀剂下层膜形成组合物以及使用该组合物的抗蚀剂下层膜和半导体装置的制造方法，在半导体装置制造的光刻工艺中，利用具有甘脲骨架的化合物添加剂增强防止形成在基板上的抗蚀剂图案的图案倒塌的功能。使用下面的式(1‑1)的抗蚀剂下层膜形成组合物用添加剂： (式(1‑1)中，R1～R4各自是由选自由有机基团组成的组中的至少一个基团取代氢原子后的C2～10烷基或C2～10烯基，所述有机基团包含羟基、硫醇基、羧基、C1～5烷氧基乙基、C1～5烷基磺酰基和酯键，能够全部相同也能够不同，R5和R6各自表示选自氢原子、C1～10烷基和苯基中的基团)。
公开/授权文献:
- CN109313389A 包含具有甘脲骨架的化合物作为添加剂的抗蚀剂下层膜形成组合物 公开/授权日：2019-02-05