基本信息:
- 专利标题： 氮掺杂氧化镍-氧化锌近紫外光探测器
- 专利标题（英）：Nitrogen-doped nickel oxide and zinc oxide near ultraviolet detector
- 申请号：CN201811086492.5 申请日：2018-09-18
- 公开(公告)号：CN109301026A 公开(公告)日：2019-02-01
- 发明人： 黄仕华 , 陆肖励
- 申请人： 浙江师范大学
- 申请人地址： 浙江省金华市迎宾大道688号
- 专利权人： 浙江师范大学
- 当前专利权人： 浙江师范大学
- 当前专利权人地址： 浙江省金华市迎宾大道688号
- 代理机构： 杭州之江专利事务所
- 代理人： 朱枫
- 主分类号： H01L31/109
- IPC分类号： H01L31/109 ; H01L31/0336
摘要：
本发明公开了一种氮掺杂氧化镍-氧化锌近紫外光探测器，具有如下的结构：Ag/NiO:N/ZnO/FTO导电玻璃，其中FTO为掺氟的氧化铟。这种探测器提高了NiO中的载流子浓度，增加了电导率，增强了内建电场，另一方面，减少了禁带宽度，吸收波长向长波方向移动，对微弱UVA近紫外光有较高的灵敏度。
摘要（英）：
The invention discloses a nitrogen-doped nickel oxide and zinc oxide near ultraviolet detector of the following structure of Ag/NiO:N/ZnO/FTO conductive glass, and FTO represents fluorine doped indiumoxide. According to the detector, the carrier concentration in NiO is improved, the conductivity is increased, a built-in electric field is enhanced, the forbidden band is narrower, absorption wavelength moves towards the long wave direction, and the detector is highly sensitive to weak UVA near ultraviolet.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L31/10 | ..特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管 |
| ------------H01L31/101 | ...对红外、可见或紫外辐射敏感的器件 |
| --------------H01L31/102 | ....仅以一个势垒或面垒为特征的 |
| ----------------H01L31/109 | .....为PN异质结型势垒的 |