基本信息:
- 专利标题： 半导体器件及其形成方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and forming method thereof
- 申请号：CN201710457588.7 申请日：2017-06-16
- 公开(公告)号：CN109148576A 公开(公告)日：2019-01-04
- 发明人： 张海洋 , 刘盼盼 , 王士京
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号;
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号;
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐文欣; 吴敏
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/06 ; H01L29/423 ; H01L21/336
摘要：
一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍部；形成初始掺杂层，初始掺杂层位于所述鳍部中，所述初始掺杂层表面具有顶尖端；去除所述顶尖端，使初始掺杂层形成掺杂层，且形成掺杂层的处理面；形成掺杂层后，形成位于处理面上的插塞，插塞与所述掺杂层电学连接。所述方法使半导体器件的性能提高。
摘要（英）：
A semiconductor device and a forming method thereof are provided, wherein the method comprises providing a substrate having a fin portion thereon; forming an initial doping layer, wherein the initialdoping layer is located in the fin portion, and the surface of the initial doping layer has a top end; removing the tip end so that the initial doping layer forms a doping layer and a processing surface of the doping layer; and after forming the doping layer, forming a plug located on the processing surface, the plug being electrically connected with the doping layer. The method improves the performance of the semiconductor device.
公开/授权文献:
- CN109148576B 半导体器件及其形成方法 公开/授权日：2022-02-15
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |