基本信息:
- 专利标题： 一种背面钝化的晶体硅太阳能电池及其制备方法
- 专利标题（英）：A back-passivated crystalline silicon solar cell and a preparation method thereof
- 申请号：CN201810895722.6 申请日：2018-08-08
- 公开(公告)号：CN109087965A 公开(公告)日：2018-12-25
- 发明人： 黄仕华 , 周理想 , 池丹 , 陆肖励
- 申请人： 浙江师范大学
- 申请人地址： 浙江省金华市迎宾大道688号
- 专利权人： 浙江师范大学
- 当前专利权人： 浙江师范大学
- 当前专利权人地址： 浙江省金华市迎宾大道688号
- 代理机构： 杭州之江专利事务所
- 代理人： 朱枫
- 主分类号： H01L31/049
- IPC分类号： H01L31/049 ; H01L31/0216 ; H01L31/18 ; H01L31/0304
The invention discloses a back-passivated crystalline silicon solar cell and a preparation method thereof. Molybdenum oxide is used as a p-type crystalline silicon passivation layer and a hole transport layer, and the solar cell has the following structure: Ag/SiNx/n-C-Si/p-C-Si/SiO2/MoO3/Al/Ag, where x=0. 9-1.2, and n-C-Si is phosphorus doped n-type crystalline silicon. The invention uses molybdenum oxide instead of alumina as the back passivation material of the p-type crystalline silicon cell, and thus the recombination of the back side of the cell can be greatly reduced and the molybdenumoxide can also be used as the hole transport layer of the p-type crystalline silicon cell. Therefore, in the actual production process of the cell, the laser drilling is not required to ensure the transmission of carriers like PERC cells, which can not only reduce the backside recombination of crystalline silicon, but also avoid the negative impact of laser drilling.
公开/授权文献:
- CN109087965B 一种背面钝化的晶体硅太阳能电池及其制备方法 公开/授权日：2020-07-17
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L31/042 | ..包括光电池板或阵列，如太阳电池板或阵列 |
| ------------H01L31/048 | ...封装的或有外壳的 |
| --------------H01L31/049 | ....保护性背板 |