基本信息:
- 专利标题： 一种含有AlN三明治结构的蓝宝石复合衬底
- 专利标题（英）：A sapphire composite substrate containing an AlN sandwich structure
- 申请号：CN201810947312.1 申请日：2018-08-20
- 公开(公告)号：CN109065685A 公开(公告)日：2018-12-21
- 发明人： 孙一军 , 程志渊 , 盛况 , 周强 , 孙颖
- 申请人： 浙江大学
- 申请人地址： 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
- 专利权人： 浙江大学
- 当前专利权人： 浙江大学
- 当前专利权人地址： 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
- 代理机构： 杭州求是专利事务所有限公司
- 代理人： 贾玉霞; 邱启旺
- 主分类号： H01L33/12
- IPC分类号： H01L33/12 ; H01L33/00
摘要：
本发明提出一种含有AlN三明治结构的蓝宝石复合衬底，其包括蓝宝石衬底以及沉积于所述蓝宝石衬底上的AlN三明治结构，所述AlN三明治结构包括沉积于所述蓝宝石衬底上的第一Al2O3层、沉积于所述第一Al2O3层上的AlN层以及沉积于所述AlN层上的第二Al2O3层，AlN三明治结构的制备方法为蒸发、溅射、原子层沉积中的一种或多种组合。本发明不仅可以提高GaN基LED材料质量，而且可以提高GaN基LED的发光效率，实用性强。
摘要（英）：
The invention provides a sapphire composite substrate containing an AlN sandwich structure, comprising a sapphire substrate and an AlN sandwich structure deposited on the sapphire substrate, the AlN sandwich structure includes a first Al2O3 layer deposited on the sapphire substrate, an AlN layer deposited on the first Al2O3 layer and a second Al2O3 layer deposited on the AlN layer, the preparationmethod of the AlN sandwich structure is one or more combinations of evaporation, sputtering, and atomic layer deposition. The invention can not only improve the quality of the GaN-based LED material,but also improve the luminous efficiency of the GaN-based LED, and has strong practicability.