基本信息:
- 专利标题： 一种底栅结构肖特基二极管及其制备方法
- 专利标题（英）：A Schottky diode with bottom gate structure and a method for manufacture that same
- 申请号：CN201810981444.6 申请日：2018-08-27
- 公开(公告)号：CN109037355A 公开(公告)日：2018-12-18
- 发明人： 廖敏 , 陈新 , 郑帅至 , 彭强祥 , 尹路 , 周益春
- 申请人： 湘潭大学
- 申请人地址： 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号
- 专利权人： 湘潭大学
- 当前专利权人： 湘潭大学
- 当前专利权人地址： 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号
- 代理机构： 北京中政联科专利代理事务所
- 代理人： 陈超
- 主分类号： H01L29/872
- IPC分类号： H01L29/872 ; H01L21/329
The invnetion discloses a Schottky diode with bottom gate structure which comprises a substrate layer, a bottom electrode lay, a ferroelectric thin film layer, a first dielectric layer, a Schottky diode layer and a second dielectric lay, wherein that Schottky diode layer comprises a semiconductor layer and a metal layer; The semiconductor layer is connected to a first electrode passing through thesecond dielectric layer; The metal layer is connected to the second electrode passing through the second dielectric layer. As that Schottky barry height is controlled by changing the gate voltage ofthe Schottky barrier diode, the reverse current of the Schottky barrier diode is reduced, and the current regulation of a wide range of device can be obtained by changing the gate voltage of the Schottky barrier diode.
公开/授权文献:
- CN109037355B 一种基于铁电栅调控的肖特基二极管及其制备方法 公开/授权日：2020-04-10
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/86 | ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的 |
| ------------H01L29/861 | ...二极管 |
| --------------H01L29/872 | ....肖特基二极管 |